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技术专题
单片机开发模拟IC设计
模拟IC设计与数字IC设计
模拟IC设计与数字IC设计有很大不同。在数字IC设计大多是在抽象的层次上完成的系统和过程中，确定栅极/晶体管级布局和布线的细节的地方，模拟IC设计通常将更多的个性化焦点集中在每个电路上，甚至包括每个电路的尺寸和细节。
晶体管。
同样，许多铸造工艺主要是为具有模拟功能的数字IC开发的，这就要求模拟IC设计人员应对工艺限制和更适合数字IC的功能进行工作。
模拟设计团队通常从一组规范和功能入手，就像数字IC设计一样。从那里开始，可以使用各种功能的功能模型进一步缩小约束条件，并做出有关设备尺寸，类型和其他过程功能的决策。这可能包括晶体管的选择，高层布局，电感器和电容器技术的加入以及IC和子电路的理想品质因数。
诸如VHDL-AMS之类的体系结构硬件描述语言（AHDL）用于执行高层仿真并确定子块的约束。虽然模拟设计人员也经常为其子电路设计开发测试台，但也可以在此阶段开发一个测试台，随后将其用于仿真。
电路设计，物理布局和仿真
有了这些详细信息并根据模拟电路的复杂性，模拟设计团队通常会将子电路设计分配给个人。进行了理想的宏级测量，可以进一步确定子电路的约束和性能期望。
然后，将这些宏示意图分解为示意图，并使用从铸造过程中建模的电路元件。对这些电路进行仿真和优化，然后开始物理布局过程。在进行寄生提取和布局后仿真之前，先进行布局和布线，然后进行设计规则检查（DRC）和布局与原理图。
布局后的仿真可能会揭示设计中的缺陷，并且可能需要重新设计，布局和仿真的迭代过程才能达到最终的设计目标，并将IC提交流片。子电路也可能在整个芯片布局和仿真之前经历其自己的设计，布局和仿真过程，尽管这两种方法都可能导致需要在流片之前重新设计电路。
模拟抽象水平
以下是模拟IC设计过程的抽象级别：
功能性
行为的
巨集
电路图
晶体管
物理布局
模拟IC设计流程
与模拟IC设计相关的具体步骤可以分为以下几类：
设计规范
技术指标
约束条件
拓扑结构
测试台开发
原理图流程
系统级原理图输入
架构HDL仿真
块HDL规范
电路级原理图输入
电路仿真与优化
物理流量
基于PCell的布局条目
设计规则检查（DRC）
布局与原理图（LVS）
寄生提取
布局后模拟
出带