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超高密度离线电源解决方案降低损耗
超高密度离线电源解决方案降低损耗
在传统的 PFC 电路中，整流桥二极管在 240 W 电源中的损耗约为 4 W，约占总损耗的 20%。PFC 级的效率通常为 97%，LLC 电路实现了类似的性能。
然而，新的 NCP1680 临界导通模式 (CrM) 图腾柱 PFC 控制器解决方案专为超高密度离线电源设计，可以在“图腾柱”配置中用开关代替有损二极管，并引入升压 PFC 功能以减少桥损耗，显着提高整体效率。此外，NCP1680 可以适应任何开关类型，无论是超结硅 MOSFET 还是宽带隙开关，如碳化硅 (SiC) 或氮化镓 (GaN) 器件。
新的 NCP1680 CrM 图腾柱 PFC 控制器采用新颖的电流限制架构和线路相位检测，同时结合了经过验证的控制算法，可在不影响性能的情况下提供具有成本效益的图腾柱 PFC 解决方案。该 IC 的核心是内部补偿数字环路控制。该创新器件采用具有谷值开关的恒定导通时间 CrM 架构。由于内置的非连续传导模式 (DCM) 在频率折返操作期间具有谷值同步开启，因此也可以满足现代效率标准，包括那些需要在轻负载下具有高效率的标准。
这种高度集成的设备可以支持电信 5G、工业和高性能计算的电源设计，在通用电源 (90 – 265 Vac) 下以高达 350 W 的推荐功率水平运行。在 230 Vac 电源输入下，PFC 电路基于NCP1680 在 300 W 时可实现接近 99% 的效率。此外，通过减少组件数量，无需霍尔效应传感器即可实现逐周期电流限制。
根据为图腾柱快速支路选择的开关技术，NCP1680 可与 NCP51820 半桥 GaN HEMT 栅极驱动器或 NCP51561 隔离式 SiC MOSFET 栅极驱动器一起使用，后者是具有 4.5 A 源的隔离式双通道栅极驱动器和 9 A 吸收峰值电流能力。新器件适用于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速开关，提供短且匹配的传播延迟。两个独立的 5 kVRMS（UL1577 级）电隔离栅极驱动器通道可用作两个低侧、两个高侧开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器。启用引脚将同时关闭两个输出，并且 NCP51561 提供其他重要的保护功能，例如用于两个栅极驱动器和启用功能的独立欠压锁定 (UVLO)。