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单片机开发开关稳压器：当所有东西都在芯片上时
开关调节器可以整体或通过控制器构造。在一个单片开关稳压器，所述各功率开关，通常的MOSFET中，在单个硅芯片内集成。对于控制器，除了控制器IC外，还必须分别选择和放置功率半导体。
MOSFET的选择是耗时的，需要一定的了解的的参数开关的，一些设计师不必处理使用单片设计时。另外，与高度集成的解决方案相比，控制器解决方案通常在板上占用更多的空间。
因此，这也难怪，在几年， ever-更多的开关稳压器已被单片执行。今天，有一个大的选择的西装能够提供解决方案，甚至对更高功率。图1示出了整体式的降压转换器上的左侧和一个控制器溶液上的右侧。
1.所示为单片降压转换器（左）和带有外部开关的控制器解决方案（右）。
单片稳压器与控制器
而 单片 解决方案 需要更少的空间，并在设计过程被简化，一个优点一个的控制器解决方案是更灵活性。设计者可以选择最优化，应用程序特定的可切换的控制器的解决方案，而且也进入门，用于开关，使得开关的边缘被影响与聪明就业的无源部件。此外，控制器解决方案特别适合高功率 因为大的离散开关可以被选择和切换损失消散从热分离的控制器 IC。
但是，除了支持或反对 整体解决方案的这些众所周知的论点外，通常不会考虑另一方面。在开关稳压器中，所谓的热环路对于低辐射发射至关重要。在所有开关稳压器中，应尽可能优化EMC。一个用于实现此的基本规则是，以最小化寄生电感中的各自的热循环。
在一个降压转换器，该路径之间的输入电容器和所述高侧开关，所述高侧开关和低侧开关和所述低压侧开关之间的连接之间的连接和输入电容器，是的一部分热循环。它们是电流路径，电流以开关转换的速度变化。通过该快速电流变化，电压经由寄生电感和可耦合到不同的电路段作为偏移形式的干扰。
因此，热回路中的这些寄生电感必须保持尽可能低。图2示出了各热回路（红色）的一个路径单片式开关稳压上左侧和一个控制器溶液上的权利。我们可以看到有两个优点的单片SOLU重刑。
2.给出了单片式开关调节器（左）和带有控制器IC的解决方案（右）的热回路的几何布置。
首先，热循环小于控制器的热循环。其次，之间的连接路径的高侧开关和低侧开关是非常短的并且只排到于硅。在比较，对于用溶液的控制器IC，该连接的电流路径必须通过寄生路由电感的的包装，通常与寄生电感从接合线和引线框架。这将导致一个更高的电压偏移，并符合ingly，较差的EMC 行为。
结果，单片开关稳压器在EMI方面提供了另一个鲜为人知的优势。这种干扰有多高以及如何影响电路取决于许多其他参数。但是，单片开关稳压器与带有控制器IC的解决方案在EMC行为方面有所不同的基本思想值得考虑。