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东芝Cortex-M MCU新路线图
东芝透露了其Arm Cortex-M微控制器计划，宣布200MHz（254 DMIPS）40nm部件“比现有的65nm器件功耗降低约30％”，并宣布采用SONOS内存的130nm部件。
该系列分为两个设备类：
使用Arm Cortex-M3或带浮点单元（FPU）的Cortex-M4，在40nm处具有TXZxA +（“高端”为A）。采用Arm Cortex-M0，Cortex-M3或Cortex-M4内核，SONOS存储器而非闪存的130nm CMOS中的TXZxE +（E表示“输入”）。
该公司表示：“通过东芝原始IP模块的丰富，这些设备适用于各种目标应用，例如家用电器，工业和电机控制应用以及通信和数据处理。”
该 TXZxA +阵容将是“功能对准引脚兼容现有的65nm TXZ设备使客户能够无缝地迁移到新的微控制器系列”，东芝表示。
功能将包括一个内置的高精度振荡器（尚未指定精度）和一个不需要外部电容器的单电源调节器。
提供给《电子周刊》的信息也提到了“前置驱动器”，而没有进一步说明-东芝通常使用该短语来描述mosfet栅极驱动器，以驱动继续驱动电动机或d继电器的外部mosfete-寻求澄清。
该公司表示，通用的寄存器图和家庭内部足迹兼容性将简化设计和重复使用。
最初的工程样品计划于今年第三季度提供，然后在2021年第二季度提供客户样品并进行批量生产。
TXZxE + 部件将用于基本控制应用，并由东芝子公司日本半导体公司制造。他们将成为首批使用氧化硅，氮化硅，氧化硅（SONOS）非易失性存储器而非闪存的东芝MCU。
该公司与Floadia合作开发了这种内存，这就是Floadia的G1 SONOS，据说它的闪存泄漏较少。初始工程样品计划于第二季度进行，而客户样品和批量生产计划于2020年第四季度进行。至少，在恶劣的工业环境中，某些TXZ +部件的额定工作温度可达+ 125°C。
备注：68µA / MHz，而现有TMPM4G9F15FG为100µA / MHz。