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使用内核耦合内存将STM32微控制器的速度提高
当处理具有计算密集型例程和（或）接近实时性能要求的项目时，拥有“闪电般的” RAM通常对于开发人员而言是一件好事。这是STMicro在其STM32微控制器系列中包含大量内核耦合内存（CCM）RAM的原因之一。
核心耦合内存（CCM）具有高性能和零等待状态，允许在从闪存中运行固件所需时间的一小部分时间内执行指令。根据意法半导体， 它被包含在微控制器中，用于涉及“实时和计算密集型例程[包括]数字电源转换控制回路（开关模式电源，照明），面向现场的三相电动机控制，[和]实时DSP（数字信号处理）”。
对于开发人员如何使用CCM的演示，开发人员使用了STM32F303CC开发板，它具有256kB的闪存，40kB的静态RAM（SRAM）和8kB的核心耦合内存（CCM）RAM。对于固件，他采用了LZ4压缩算法作为基准，并采用了允许在闪存SRAM和CCM RAM上执行的自定义CMake。在闪存，SRAM和CCM上以不同的时钟速度执行LZ4压缩算法。在默认的板时钟速度为72MHz且块大小为8k的情况下，从闪存执行LZ4算法的时间为279到304毫秒。移至SRAM可使运行时间进一步缩短至251ms，但切换至CCM则将其进一步降低至172ms。为了进一步测试这些限制，工程师对设备进行了超频，使其时钟速度为128MHz，并再次测试了所有三个存储器的性能。在新的时钟速度下，块大小与以前相同，在CCM上为97ms。