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电路设计的发展历程
1947年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑；
1950年：结型晶体管诞生；1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺
1951 年：场效应晶体管发明
1956年：C S Fuller发明了扩散工艺；
1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史
1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺； 1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管
1963年：和首次提出CMOS技术，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺；
1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍
1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列
1967年：应用材料公司成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司；
1971年：Intel推出1kb动态随机存储器，标志着大规模集成电路出现；1971年：全球第一个微处理器4004Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明
1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802； 1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世；
1978年：64kb动态随机存储器诞生
1979年：Intel推出5mhz 8088微处理器，之后，IBM基于8088处理器基础上推出全球第一台PC
1981年256kb DRAM和64kb COMS SRAM问世
1984：日本推出1MB DRAM和256kb SRAM
1985年;80386微处理器问世 20MHZ
1988年：16M DRAM问世
1989年：1MB DRAM近如市场
1992年：64M位随机存储器问世
1993年：66MHz奔腾处理器推出，采用um工艺
1995年：Pentium Pro，133um，采用um工艺
1997年300MHZ奔腾处理器问世，采用um工艺