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用于功率转换的新型增强型栅极驱动器
用于功率转换的新型增强型栅极驱动器
通过消除复杂的栅极控制和电路布局挑战，简化了使用宽带隙GaN功率半导体的设计。
它集成了两个具有225mΩRDS（on）的对称650V氮化镓（GaN）功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护，可简化高达200W的高效功率转换应用的设计。
3.3V至15V的输入电压容差允许通过将封装直接连接到霍尔效应传感器或CMOS器件（例如微控制器，DSP或FPGA）来控制MasterGaN4。
利用GaN晶体管卓越的开关性能所带来的更高工作频率，以及提高的效率来降低散热，设计人员现在可以选择小型磁性元件和散热器，以构建更紧凑，更轻便的电源，充电器和适配器。
MasterGaN4非常适合用于对称半桥拓扑以及软开关拓扑，例如有源钳位反激式和有源钳位正激式。宽电源电压范围为4.75V至9.5V，可方便地连接到现有电源轨。内置保护功能进一步简化了设计，包括：
门驱动器互锁
低侧和高侧欠压锁定（UVLO）
过热保护
还有一个专用的关断引脚。
意法半导体还推出了专用的原型板（EVALMASTERGAN4），该板提供了一套完整的功能，可通过单个或互补的驱动信号来驱动MasterGaN4。还提供了一个可调的死区时间发生器。该板可灵活地施加一个单独的输入信号或PWM信号，插入一个外部自举二极管，分离逻辑和栅极驱动器电源轨，以及使用一个低侧并联电阻器来实现峰值电流模式拓扑。
MasterGaN4现在采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封装生产，爬电距离超过2mm，可在高压应用中安全使用。